CNY75GB
Symbol Micros:
OOCNY75gb
Gehäuse: PDIP06
Einzelner CTR 100-200 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV VDE0884 NPN-Fototransistor
Parameter
| Klickrate (CTR): | 100-200% |
| Gehäuse: | PDIP06 |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung [V]: | 70V |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: CNY75GB RoHS
Gehäuse: PDIP06
Datenblatt
Auf Lager:
99 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3126 | 0,2002 | 0,1404 | 0,1220 | 0,1141 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: CNY75GB
Gehäuse: PDIP06
Externes Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1398 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: CNY75GB
Gehäuse: PDIP06
Externes Lager:
275 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1386 |
| Klickrate (CTR): | 100-200% |
| Gehäuse: | PDIP06 |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung [V]: | 70V |
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