H11F1M
Symbol Micros:
OOH11F1
Gehäuse: PDIP06
Einzel-CTR N/A % Vce 30 V Uiso 5,3 kV NPN-Fototransistor
Parameter
| Gehäuse: | PDIP06 |
| Klickrate (CTR): | N/A% |
| Isolationsspannung: | 5300V |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Ausgangsspannung [V]: | 30V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: H11F1M RoHS
Gehäuse: PDIP06
Auf Lager:
31 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4449 | 1,0112 | 0,8094 | 0,7862 | 0,7607 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: H11F1M
Gehäuse: PDIP06
Externes Lager:
1970 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7607 |
| Gehäuse: | PDIP06 |
| Klickrate (CTR): | N/A% |
| Isolationsspannung: | 5300V |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Ausgangsspannung [V]: | 30V |
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