OOILD1207t

Symbol Micros: OOILD1207t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
podwójny CTR 200% Iout 30mA  Uiso 4,0kV  NPN Phototransistor 4000Vrms -55÷110°C
Parameter
Gehäuse: SOP08
Klickrate (CTR): 100-200%
Isolationsspannung: 4000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gehäuse: SOP08
Klickrate (CTR): 100-200%
Isolationsspannung: 4000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor