LTV817S-A smd

Symbol Micros: OOPC817altvs CT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
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einzelner CTR 160 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817AS, FOD817ASD, LTV-817S-TA1-A
Parameter
Klickrate (CTR): 160%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 0,5kV
Ausgangsspannung: 35V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-11-20
Anzahl Stück: 1500
Klickrate (CTR): 160%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 0,5kV
Ausgangsspannung: 35V

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