LTV817S-B smd

Symbol Micros: OOPC817bltvs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel-CTR 130-260 % ​​Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817BS, LTV-817S-TA1-B FOD817BSD LTV817BS; LTV817STA1B-V;
Parameter
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 130-260%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 35V
Hersteller: LITE-ON Hersteller-Teilenummer: LTV-817S-TA1-B RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
4620 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2667 0,1292 0,0884 0,0782 0,0763
Standard-Verpackung:
1000/2000/14000
Hersteller: LITE-ON Hersteller-Teilenummer: LTV-817S-TA1-B-G RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
2449 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2667 0,1292 0,0884 0,0782 0,0763
Standard-Verpackung:
1000/2000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817BSD Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
37000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0763
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-09-30
Anzahl Stück: 10000
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 130-260%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 35V