LTV817S-B smd
Symbol Micros:
OOPC817bltvs c
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel-CTR 130-260 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817BS, LTV-817S-TA1-B FOD817BSD LTV817BS; LTV817STA1B-V;
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