FOD817BS

Symbol Micros: OOPC817bs FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 130-260 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817BSD
Parameter
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 130-260%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817BS RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2667 0,1417 0,1099 0,1014 0,0972
Standard-Verpackung:
100
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 130-260%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V