FOD817C
Symbol Micros:
OOPC817c FAI
Gehäuse: PDIP04
Einzel CTR 200-400 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor
Parameter
| Klickrate (CTR): | 200-400% |
| Gehäuse: | PDIP04 |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung [V]: | 70V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817C RoHS
Gehäuse: PDIP04
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2544 | 0,1394 | 0,0914 | 0,0824 | 0,0728 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817C
Gehäuse: PDIP04
Externes Lager:
4000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0728 |
| Klickrate (CTR): | 200-400% |
| Gehäuse: | PDIP04 |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung [V]: | 70V |
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