FOD817C3S

Symbol Micros: OOPC817c3s FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
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Einzel-CTR 200-400 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817C3SD
Parameter
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
23 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 23+ 115+ 483+
Nettopreis (EUR) 0,3337 0,2170 0,1764 0,1400 0,1283
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Standard-Verpackung:
23
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V

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