FOD817C3S
Symbol Micros:
OOPC817c3s FAI
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel-CTR 200-400 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817C3SD
Parameter
| Klickrate (CTR): | 200-400% |
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung: | 70V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Datenblatt
Auf Lager:
23 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 23+ | 115+ | 483+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3383 | 0,2200 | 0,1788 | 0,1419 | 0,1301 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3383 | 0,2216 | 0,1587 | 0,1389 | 0,1301 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD
Gehäuse: PDIP04smd
Externes Lager:
37000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1301 |
| Klickrate (CTR): | 200-400% |
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung: | 70V |
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