FOD817C3S

Symbol Micros: OOPC817c3s FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
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Einzel-CTR 200-400 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817C3SD
Parameter
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3368 0,2207 0,1581 0,1383 0,1296
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
23 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 23+ 115+ 483+
Nettopreis (EUR) 0,3368 0,2191 0,1781 0,1413 0,1296
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Standard-Verpackung:
23
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V

Symbol Micros

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