FOD817C3S

Symbol Micros: OOPC817c3s FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
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Einzel-CTR 200-400 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817C3SD
Parameter
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
23 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 23+ 115+ 483+
Nettopreis (EUR) 0,3389 0,2204 0,1792 0,1422 0,1304
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Standard-Verpackung:
23
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3389 0,2221 0,1590 0,1391 0,1304
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
7000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1304
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V

Symbol Micros

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