FOD817C3S

Symbol Micros: OOPC817c3s FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel-CTR 200-400 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817C3SD
Parameter
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
23 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 23+ 115+ 483+
Nettopreis (EUR) 0,3481 0,2262 0,1839 0,1460 0,1338
Standard-Verpackung:
23
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817C3S RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3786 0,2088 0,1642 0,1555 0,1458
Standard-Verpackung:
100/200
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
184000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1458
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817C3SD Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1458
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V