EL817SC EVERLIGHT

Symbol Micros: OOPC817cltvs EVL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
einzelner CTR 200-400 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor Äquivalent: EL817S1-C-TU; EL817SC(TU)-F; EL817(S)(C)(TU); EL817(S)(C)(TA); EL817S(C)(TU)ELEU); EL817S(C); EL817S(C)(TA)-G; EL817(S)(C)(TB); EL817S(C)(TA); EL817S(C)-TA; EL817(S)(C)(TU)-G; EL817S1(C)(TU)-F; EL817S1-C-TU;
Parameter
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: DIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: DIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V