PC817C-S UMW

Symbol Micros: OOPC817cltvs UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 200-400 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor Ersatz für: LTV-817S-C, EL817S(C), EL817S1(C)(TU)-F, FOD817CS, FOD817CSD
Parameter
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 200-400%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 35V
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: PC817C-S RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2036 0,1029 0,0620 0,0491 0,0452
Standard-Verpackung:
2000
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 200-400%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 35V