PC817C-S UMW

Symbol Micros: OOPC817cltvs UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 200-400 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor Ersatz für: LTV-817S-C, EL817S(C), EL817S1(C)(TU)-F, FOD817CS, FOD817CSD
Parameter
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 200-400%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 35V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 200-400%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 35V