FOD817D3S
Symbol Micros:
OOPC817d3s FAI
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel-CTR 300-600 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817D3SD
Parameter
| Klickrate (CTR): | 300-600% |
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung [V]: | 70V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817D3SD RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3187 | 0,1754 | 0,1381 | 0,1277 | 0,1225 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817D3SD
Gehäuse: PDIP04smd
Externes Lager:
101000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1225 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817D3S
Gehäuse: PDIP04smd
Externes Lager:
12000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1225 |
| Klickrate (CTR): | 300-600% |
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung [V]: | 70V |
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