FOD817D3S

Symbol Micros: OOPC817d3s FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Einzel-CTR 300-600 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817D3SD
Parameter
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 300-600%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 300-600%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole