FOD817DS
Symbol Micros:
OOPC817ds FAI
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 300-600 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817DSD
Parameter
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Klickrate (CTR): | 300-600% |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Ausgangsspannung [V]: | 70V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817DS RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Datenblatt
Auf Lager:
120 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3117 | 0,1656 | 0,1283 | 0,1213 | 0,1135 |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FOD817DS RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Auf Lager:
24 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3117 | 0,1656 | 0,1283 | 0,1185 | 0,1135 |
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Klickrate (CTR): | 300-600% |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Ausgangsspannung [V]: | 70V |
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