FOD817S

Symbol Micros: OOPC817s FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Einzel-CTR 50-600 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817SD
Parameter
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 50-600%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817S RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
11 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3316 0,1828 0,1436 0,1331 0,1276
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817SD RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3316 0,1828 0,1436 0,1331 0,1276
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817SD Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1276
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817S Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
11600 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1276
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 50-600%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole