FOD817S

Symbol Micros: OOPC817s FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
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Einzel-CTR 50-600 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817SD
Parameter
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817SD RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5618 0,3526 0,2938 0,2609 0,2445
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817S RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
11 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5618 0,3526 0,2938 0,2609 0,2445
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Standard-Verpackung:
100
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V

Symbol Micros

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