FOD817S
Symbol Micros:
OOPC817s FAI
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel-CTR 50-600 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817SD
Parameter
| Klickrate (CTR): | 50-600% |
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung: | 70V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817S RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Datenblatt
Auf Lager:
11 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6191 | 0,3878 | 0,3224 | 0,2873 | 0,2687 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817SD RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6191 | 0,3878 | 0,3224 | 0,2873 | 0,2687 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817SD
Gehäuse: PDIP04smd
Externes Lager:
21000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2687 |
| Klickrate (CTR): | 50-600% |
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung: | 70V |
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