TCET1107G

Symbol Micros: OOTCET1107g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04 0,4"
einzelner CTR 80-160 % Vce 70 V Uiso 5 kV NPN Fototransistor
Parameter
Klickrate (CTR): 80-160%
Gehäuse: PDIP04 0,4"
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Klickrate (CTR): 80-160%
Gehäuse: PDIP04 0,4"
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V