TLP126 smd

Symbol Micros: OOTLP126
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SO 4
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Einzel-CTR 100-1200 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor TLP126(F) TLP126(TPL,F) TLP126F TLP126-TPL.F TLP126(TPR,F)

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Parameter
Klickrate (CTR): 100-1200%
Gehäuse: SO 4
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP126(TPL.F) RoHS Gehäuse: SO 4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9339 0,6203 0,5150 0,4635 0,4447
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP126(TPL,F) RoHS Gehäuse: SO 4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9339 0,6203 0,5150 0,4635 0,4447
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Standard-Verpackung:
100
Klickrate (CTR): 100-1200%
Gehäuse: SO 4
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V

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