TLP180 smd

Symbol Micros: OOTLP180
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SO 4
einzelner CTR 50-600 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor *Veraltet! Empfohlener Ersatz: TLP184 TLP180GB
Parameter
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: SO 4
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP180 RoHS Gehäuse: SO 4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
365 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,6337 0,3981 0,3133 0,2851 0,2756
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP180 RoHS Gehäuse: SO 4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1305 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6337 0,4029 0,3180 0,2898 0,2756
Standard-Verpackung:
1500
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: SO 4
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V