TLP185(GB-TPL,SE(T

Symbol Micros: OOTLP185gb-se
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SO 4
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Einzel-CTR 100-400 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor TLP185(GB-TPR,SE wird als Ersatz vorgeschlagen; TLP185-GB-TPL-E; TLP185(GB-TPL,E(O; TLP185(GB-TPR,E(O; O; TLP185(GB-TPL, SE(O) ; TLP185(GB-TPL,SE(T; TLP185(GB-TPL,SE; TLP185(GB-TPR,E; TLP185(GB-TPR,SE(T; TLP185-GB-TPL-E-O; TLP185 (GB,E) ); TLP185(GB-TPR,E); TLP185(GB-TPL,E(T; TLP185(GB-TPL,E);
Parameter
Klickrate (CTR): 100-400%
Gehäuse: SO 4
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP185(GB-TPL,SE(O RoHS Gehäuse: SO 4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
10267 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3218 0,1710 0,1325 0,1224 0,1172
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP185(GB-TPL,SE(T RoHS Gehäuse: SO 4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3218 0,1710 0,1325 0,1224 0,1172
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Standard-Verpackung:
3000
Klickrate (CTR): 100-400%
Gehäuse: SO 4
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V

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