Fotowiderstand PGM5616D

Symbol Micros: ORRPGM5616D
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.PGM5616D
beständig bei Beleuchtung: 10lx=5-10kR; 1lx(min)=1MR max. Spannung Vmax = 150 V; Wellenlänge: 560 nm; Gesamtleistung Pmax = 100 mW;
Parameter
Eigenschaften: 5k-10k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
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Geplantes Datum:
2025-08-04
Anzahl Stück: 3000
Eigenschaften: 5k-10k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C