Fotowiderstand PGM5616D
Symbol Micros:
ORRPGM5616D
Gehäuse: Rys.PGM5616D
beständig bei Beleuchtung: 10lx=5-10kR; 1lx(min)=1MR max. Spannung Vmax = 150 V; Wellenlänge: 560 nm; Gesamtleistung Pmax = 100 mW;
Parameter
Eigenschaften: | 5k-10k Widerstand bei 10lx Blitz |
Leistung: | 0,1W |
Spannung: | 150V |
Wellenlänge: | 560nm |
Betriebstemperatur (Bereich): | -30°C ~ 70°C |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-08-04
Anzahl Stück: 3000
Eigenschaften: | 5k-10k Widerstand bei 10lx Blitz |
Leistung: | 0,1W |
Spannung: | 150V |
Wellenlänge: | 560nm |
Betriebstemperatur (Bereich): | -30°C ~ 70°C |
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