Fotowiderstand PGM5637D

Symbol Micros: ORRPGM5637D
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.PGM5637D
beständig bei Beleuchtung: 10lx=16-50kR; 1lx(min)=5MR max. Spannung Vmax = 150 V; Wellenlänge: 560 nm; Gesamtleistung Pmax = 100 mW;
Parameter
Eigenschaften: 16k-50k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Eigenschaften: 16k-50k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C