Fotowiderstand PGM5649D

Symbol Micros: ORRPGM5649D
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.PGM5649D
beständig bei Beleuchtung: 10lx=50-160kR; 1lx(min)=20MR max. Spannung Vmax = 150 V; Wellenlänge: 560 nm; Gesamtleistung Pmax = 100 mW;
Parameter
Eigenschaften: 50k-160k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: CDS 5649D RoHS Gehäuse: Rys.PGM5649D  
Auf Lager:
199 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2854 0,1387 0,0952 0,0844 0,0816
Standard-Verpackung:
200/2200
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: PGM5649D RoHS Gehäuse: Rys.PGM5649D  
Auf Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2854 0,1387 0,0952 0,0844 0,0816
Standard-Verpackung:
200/3000
Eigenschaften: 50k-160k Widerstand bei 10lx Blitz
Leistung: 0,1W
Spannung: 150V
Wellenlänge: 560nm
Betriebstemperatur (Bereich): -30°C ~ 70°C