PDTC114ET smd

Symbol Micros: TPDTC114et
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 50V 100mA 250mW +res. 10k+10k NPN 50V 100mA 250mW +res. 10k+10k
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 30
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC114ET,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
290 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1086 0,0427 0,0250 0,0183 0,0167
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Standard-Verpackung:
3000/90000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-12-31
Anzahl Stück: 9000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 30
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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