PDTC114ET smd

Symbol Micros: TPDTC114et
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 50V 100mA 250mW +res. 10k+10k NPN 50V 100mA 250mW +res. 10k+10k
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 30
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC114ET,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 2000+ 10000+
Nettopreis (EUR) 0,1039 0,0415 0,0221 0,0171 0,0160
Standard-Verpackung:
3000/90000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PDTC114ET,235 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
9690 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 2000+ 10000+
Nettopreis (EUR) 0,1039 0,0415 0,0221 0,0171 0,0160
Standard-Verpackung:
10000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PDTC114ET,235 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0160
Standard-Verpackung:
10000
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-12-31
Anzahl Stück: 9000
Verlustleistung: 250mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 30
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN