AT45DB081E-SHN SO8(0.209")

AT45DB081E - serielle SPI-kompatible DataFlash-Speicher mit einer Kapazität von 8 Megabit (+ zusätzliche 256 Kilobit),
betrieben mit nur 1,7 V.

Merkmale:

• Einzellversorgungsspannung im Bereich von 1,7 V – 3,6 V
• SPI-Kompatibilität
   - Unterstützung der SPI-Modi 0 und 3
   - Kompatibilität mit RapidS™
• Kontinuierlicher Lese-Modus für den gesamten Speicherinhalt
   - bis zu 133 MHz
   - Energiesparender Lesemodus bis 20 MHz
   - Maximale Lesezeit (clock-to-output, tV) 6 ns
• Benutzerdefinierte Seitengröße
   - 256 Bytes pro Seite
   - 264 Bytes pro Seite (Standardwert)
   - Möglichkeit, die Seitengröße werkseitig auf 256 Bytes festzulegen
• Ein SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)
• Flexible Programmiermöglichkeiten
   - Direktes Programmieren des Hauptspeichers auf Byte- oder Seitenebene (1 bis 256/264 Bytes)
   - Schreibpufferung
   - Pufferung von Seitenkopien zum Hauptspeicher
• Flexible Löschoptionen
   - Seitenlöschung (256/264 Bytes)
   - Blocklöschung (2 kB)
   - Sektorlöschung (64 kB)
   - Chiplöschung (8 Mb)
• Fortschrittliche Hardware- und Software-Schutzmechanismen
   - Sektorschutz
   - Möglichkeit, Sektoren in den Nur-Lese-Modus zu versetzen (Sperrung)
• 128-Byte-Sicherheitsregister, einmal programmierbar
   - 64 Bytes mit werkseitig integriertem einzigartigen Identifikator
   - 64 Bytes für Benutzerdaten
• Hardware- und Software-Reset
• Lesen der Hersteller- und Geräte-IDs gemäß JEDEC-Standard
• Sehr geringer Stromverbrauch
   - Stromverbrauch im Ultra-Deep-Power-Down-Modus 400 nA (typisch)
   - Stromverbrauch im Deep-Power-Down-Modus 4,5 µA (typisch)
   - Stromverbrauch im Standby-Modus 25 µA (typisch bei 20 MHz)
   - Stromverbrauch im Lese-Modus 8 mA (typisch)
• Lebensdauer: Mindestens 100.000 Programmier-/Löschzyklen pro Seite
• Datenaufbewahrung: 20 Jahre
• Betriebstemperaturbereich für Industrieanwendungen
• Verfügbarkeit von umweltfreundlichen Varianten (bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform)
   - 8-poliges SOIC-Gehäuse (Breite 0,150ʺ, Länge 0,208")
   - 8-poliges Ultra-DFN-Gehäuse (5 x 6 x 0,6 mm)

Beschreibung

Adesto® AT45DB081E ist ein serieller Flash-Speicher mit sequenziellem Zugriff, der mit einer Spannung von 1,7 V betrieben wird. Er ist die ideale Wahl für eine Vielzahl von Geräten, die Sprach-, Bild-, Programmcode- oder Datenspeicherung benötigen. AT45DB081E ist auch mit der seriellen RapidS-Schnittstelle kompatibel, was bei Anwendungen mit hohen Leistungsanforderungen von Bedeutung ist. Die 8.650.752 Bits Speicher sind in 4.096 Seiten unterteilt, von denen jede 256 oder 264 Bytes enthält. Zusätzlich zum Hauptspeicher enthält AT45DB081E auch einen 256/264-Byte-SRAM-Puffer. Dieser kann als zusätzlicher Seitenpuffer verwendet werden und ermöglicht durch den dreistufigen Lese-Schreib-Modus eine einfache Implementierung von EEPROM-Emulation, um auf einzelne Bits oder Bytes zuzugreifen. Im Gegensatz zu traditionellen Flash-Speichern mit freiem Zugriff, die mehrere Adressleitungen und parallele Schnittstellen verwenden, nutzt Adesto DataFlash® eine serielle Schnittstelle und sequenziellen Zugriff.

Die Einfachheit des Designs führt zu einer drastischen Reduzierung der benötigten Pins, erleichtert das Routing, erhöht die Systemzuverlässigkeit, reduziert elektromagnetische Störungen (EMI) und ermöglicht die Platzierung des Speichers in einem kompakten Gehäuse. Das Gerät wurde für kommerzielle und industrielle Anwendungen optimiert, bei denen hohe Bauelementdichte, niedrige Pin-Zahl, niedrige Betriebsspannung und geringer Energieverbrauch entscheidend sind.

AT45DB081E erfordert keine Hochspannungsprogrammierung, was das schnelle Umprogrammieren des Speichers im System ermöglicht. Das Löschen und Programmieren sowie das Lesen erfolgen bei einer Versorgungsspannung von 1,7 V bis 3,6 V. Der Speicher AT45DB081E wird über den Chip Select (CS)-Pin aktiviert und der Zugriff erfolgt über die dreipolige Schnittstelle: Serial Input (SI), Serial Output (SO) und Serial Clock (SCK). Das Timing für Programmier- und Löschoperationen wird automatisch gesteuert.