BGM11S12F256GA-V2

Symbol Micros: RF BGM11S12f256ga-v2
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Gehäuse: Rys.BGM11S
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Bluetooth 4.2 LE Module based on the EFR32BG chip; Built in antenna; I2C/SPI/UART/USART; 256kB FLASH; 32kB RAM; Po 3dBm; Si -90dBm; 6,5x6,5x1,4mm; 1,85V~3.8V; -40°C ~ 85°C;
Parameter
Abmessungen: 6,5x6,5x1,4mm
Schnittstelle: UART/USART/SPI/I2C
Versorgungsspannung: 1,85V~3,8V
Empfängerempfindlichkeit: -90dBm
Version: Bluetooth 4.2 low energy
Hersteller: Silicon Laboratories
Ausgangsleistung des Senders: 3dBm
Hersteller: Silicon Laboratories Hersteller-Teilenummer: BGM11S12F256GA-V2 BT RoHS Gehäuse: Rys.BGM11S Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Nettopreis (EUR) 16,0075 14,2901 13,0506 11,9293 11,3521
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Standard-Verpackung:
2
Abmessungen: 6,5x6,5x1,4mm
Schnittstelle: UART/USART/SPI/I2C
Versorgungsspannung: 1,85V~3,8V
Empfängerempfindlichkeit: -90dBm
Version: Bluetooth 4.2 low energy
Hersteller: Silicon Laboratories
Ausgangsleistung des Senders: 3dBm
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
FLASH-Speicher: 256kB
Antenne: Eingebaut
Montage: SMT

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