SI2301 JUXING

Symbol Micros: TSI2301 JUX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 142mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JUXING
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JUXING
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

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