SI2304BDS

Symbol Micros: TSI2304bds VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 105 mOhm; 2,6A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: SI2304BDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3884 0,2542 0,1824 0,1596 0,1495
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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