SI2308BDS

Symbol Micros: TSI2308bds

Gehäuse: SOT23

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 192 mOhm; 2,3A; 1,66 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND;

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3453	0,1901	0,1495	0,1383	0,1327

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

490 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3453	0,1901	0,1495	0,1383	0,1327

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1668	0,0793	0,0446	0,0338	0,0303

Anzahl Stück	3+	10+	40+	150+	750+
Nettopreis (EUR)	0,2566	0,1631	0,1180	0,1010	0,0931

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1075	0,0492	0,0268	0,0201	0,0179

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,0956	0,0378	0,0223	0,0164	0,0147