SI2308BDS
Symbol Micros:
TSI2308bds
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 192 mOhm; 2,3A; 1,66 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 192mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,66W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3880 | 0,2142 | 0,1684 | 0,1559 | 0,1496 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-11-07
Anzahl Stück: 3000
| Widerstand im offenen Kanal: | 192mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,66W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
SI2308BDS RoHS E8.
Gehäuse:
SOT23t/r
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| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 40+ | 150+ | 750+ |
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Standard-Verpackung: 150
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