SI2308BDS

Name: TSI2308bds TSI2308bds
Brand: Vishay
SKU: TSI2308bds
Price: 0.1295 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2308bds

Gehäuse: SOT23

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 192 mOhm; 2,3A; 1,66 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	192mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,66W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3357	0,1856	0,1459	0,1352	0,1295

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3357	0,1856	0,1459	0,1352	0,1295

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS-T1-E3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

23185 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1295

Widerstand im offenen Kanal:	192mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,66W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1690	0,0804	0,0452	0,0343	0,0307

Anzahl Stück	3+	10+	40+	150+	750+
Nettopreis (EUR)	0,2600	0,1652	0,1196	0,1024	0,0943

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1090	0,0499	0,0272	0,0203	0,0182

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,0969	0,0383	0,0226	0,0166	0,0149