STD20NF06T4

Symbol Micros: TSTD20nf06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 40mOhm; 24A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; STD20NF06;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06T4 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9299 0,6184 0,5106 0,4614 0,4427
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06T4 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
2290 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4715
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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