STP60NF06

Symbol Micros: TSTP60NF06

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 16mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	16mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

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Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9580	0,7036	0,5638	0,4836	0,4561

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF06 Gehäuse: TO220

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530 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5520

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF06 Gehäuse: TO220

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17118 stk.

Anzahl Stück	300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4561

Widerstand im offenen Kanal:	16mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT