STP60NF06
Symbol Micros:
TSTP60NF06
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 16mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 16mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9663 | 0,7097 | 0,5687 | 0,4878 | 0,4600 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
580 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5521 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
8155 stk.
| Anzahl Stück | 900+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4600 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
17668 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4600 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 16mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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