STP60NF06
Symbol Micros:
TSTP60NF06
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 16mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 16mOhm |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9827 | 0,7218 | 0,5784 | 0,4961 | 0,4679 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
19528 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4679 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
8855 stk.
| Anzahl Stück | 900+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4679 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
50850 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4679 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 16mOhm |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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Gehäuse:
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| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,8605 | 0,5407 | 0,4232 | 0,3997 | 0,3738 |
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