STP6NK90Z

Symbol Micros: TSTP6NK90Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP6NK90Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
78 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5648 1,1609 0,9670 0,9440 0,9209
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP6NK90Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2170 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9209
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP6NK90Z Gehäuse: TO220  
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1427 stk.
Anzahl Stück 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9209
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP6NK90Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1050 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9209
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP6NK90Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
10751 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9209
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT