03N06

Symbol Micros: T03N06

Gehäuse: SOT23-3

N-Channel 60V 3A 1.4V @ 250uA 105m? @ 3A,10V 1.7W SOT-23-3L MOSFET FDN5632N-F085; Si2308CDS; 03N06L SOT23-3L GOFORD;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	Goford
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	Goford
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD