MOT10N65 TO220 MOT

Symbol Micros: T10N65 MOT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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650V 10A 50W 800mOhm@10V,5A 2V 1 N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: STP10NK60Z;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4V
Hersteller: MOT Hersteller-Teilenummer: MOT10N65A RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5876 0,3526 0,2680 0,2515 0,2346
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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