MOT10N65F TO-220F
Symbol Micros:
T10N65F MOT
Gehäuse: TO220iso
Transistor N-Kanal MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | MOT |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Hersteller: MOT
Hersteller-Teilenummer: MOT10N65F RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5812 | 0,3511 | 0,2697 | 0,2441 | 0,2320 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | MOT |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole