MOT10N65F TO-220F

Symbol Micros: T10N65F MOT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOT Hersteller-Teilenummer: MOT10N65F RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5876 0,3549 0,2727 0,2468 0,2346
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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