MOT15N10D TO252(DPAK) MOT

Symbol Micros: T15N10 TO252 MOT

Gehäuse: TO252

100V 15A 34.7W 80mOhm@10V,8A 3V 1 N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs ROHS Äquivalent: IRFR120N;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	80mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	MOT
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	80mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	MOT
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 125°C
Montage:	SMD