MOT15N10D TO252(DPAK) MOT

Symbol Micros: T15N10 TO252 MOT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
100V 15A 34.7W 80mOhm@10V,8A 3V 1 N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs ROHS Äquivalent: IRFR120N;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOT Hersteller-Teilenummer: MOT15N10D RoHS Gehäuse: TO252t/r  
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Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,2590 0,1437 0,0953 0,0795 0,0743
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2500
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-10-23
Anzahl Stück: 2400
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Montage: SMD