15T65

Symbol Micros: T15T65sd c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Trans IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C; SL15T65FF; 15T65SD; MSG15T65FL;
Parameter
Gate-Ladung: 25nC
Maximale Verlustleistung: 48W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Maspower
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 25nC
Maximale Verlustleistung: 48W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Maspower
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT