2N2907

Symbol Micros: T2N2907
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 18
PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PNP 600mA 60V 400mW 200MHz
Parameter
Verlustleistung: 400mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: CDIL
Gehäuse: TO 18
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: 2N2907 RoHS Gehäuse: TO 18 Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5961 0,3787 0,2992 0,2712 0,2595
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: 2N2907 RoHS Gehäuse: TO 18 Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5961 0,3787 0,2992 0,2712 0,2595
Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 400mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: CDIL
Gehäuse: TO 18
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 200°C
Transistor-Typ: PNP