2N3019

Symbol Micros: T2N3019
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 39
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Transistor NPN; 300; 800mW, 80V; 1A; 100MHz, -65°C ~ 200°C; 2N3019-CDI
Parameter
Verlustleistung: 800mW
Hersteller: CDIL
Gehäuse: TO39
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: 2N3019 RoHS Gehäuse: TO 39 Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,7212 0,4550 0,3572 0,3253 0,3140
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Standard-Verpackung:
500/1000
Hersteller: Microchip Hersteller-Teilenummer: 2N3019 Gehäuse: TO 39  
Externes Lager:
105 stk.
Anzahl Stück 7+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 15,9681
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: 2N3019 Gehäuse: TO 39  
Externes Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3453
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 800mW
Hersteller: CDIL
Gehäuse: TO39
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 200°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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