2N3055 TO247 LGE

Symbol Micros: T2N3055 to247 LGE

Gehäuse: TO247

Transistor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; Transistor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C;

Parameter

Verlustleistung:	115W
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	70
Gehäuse:	TO3
Grenzfrequenz:	2,5MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	70V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2N3055 TO-3P RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

5147 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	90+	450+
Nettopreis (EUR)	0,8834	0,5873	0,4699	0,4393	0,4205

Verlustleistung:	115W
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	70
Gehäuse:	TO3
Grenzfrequenz:	2,5MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	70V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 200°C
Transistor-Typ:	NPN