2N5401 DIOTEC
Symbol Micros:
T2N5401 DIOTEC
Gehäuse: TO92ammoformed
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Parameter
| Verlustleistung: | 625mW |
| Hersteller: | DIOTEC |
| Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
| Gehäuse: | TO92 |
| Grenzfrequenz: | 400MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 150V |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: 2N5401 RoHS
Gehäuse: TO92ammoformed
Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 4000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1145 | 0,0453 | 0,0267 | 0,0195 | 0,0176 |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: 2N5401
Gehäuse: TO92ammoformed
Externes Lager:
12008 stk.
| Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0176 |
| Verlustleistung: | 625mW |
| Hersteller: | DIOTEC |
| Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
| Gehäuse: | TO92 |
| Grenzfrequenz: | 400MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 150V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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