2N5551

Symbol Micros: T2N5551
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN 600mA 160V 625mW NPN 600mA 160V 625mW
Parameter
Verlustleistung: 630mW
Hersteller: DISCRETE SEMICONDUCTORS
Gehäuse: TO92
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: MIC Hersteller-Teilenummer: 2N5551 RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
4800 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,0938 0,0372 0,0219 0,0161 0,0144
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000/5000
Verlustleistung: 630mW
Hersteller: DISCRETE SEMICONDUCTORS
Gehäuse: TO92
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole