2N5551

Symbol Micros: T2N5551
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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NPN 600mA 160V 625mW NPN 600mA 160V 625mW
Parameter
Verlustleistung: 630mW
Hersteller: DISCRETE SEMICONDUCTORS
Gehäuse: TO92
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: MIC Hersteller-Teilenummer: 2N5551 RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
3800 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,0930 0,0369 0,0217 0,0160 0,0143
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Standard-Verpackung:
1000/5000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2N5551BU Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
24557 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0332
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2N5551TA Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0338
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 630mW
Hersteller: DISCRETE SEMICONDUCTORS
Gehäuse: TO92
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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