2N5551

Symbol Micros: T2N5551
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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NPN 600mA 160V 625mW NPN 600mA 160V 625mW
Parameter
Verlustleistung: 630mW
Hersteller: DISCRETE SEMICONDUCTORS
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: MIC Hersteller-Teilenummer: 2N5551 RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,0866 0,0342 0,0202 0,0149 0,0133
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Standard-Verpackung:
1000/5000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N5551TA Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
14000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0376
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-07-20
Anzahl Stück: 2000
Verlustleistung: 630mW
Hersteller: DISCRETE SEMICONDUCTORS
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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