2N5886

Symbol Micros: T2N5886
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3
Transistor NPN; 100; 200W; 80V; 25A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; [Attention: Vcesat 1,4 Transistor NPN; 100; 200W; 80V; 25A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; [Attention: Vcesat 1,4
Parameter
Verlustleistung: 200W
Hersteller: Inchange Semiconductors
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 4MHz
Gehäuse: TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]: 25A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: Microchip Hersteller-Teilenummer: 2N5886 Gehäuse: TO 3  
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Anzahl Stück 2+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 59,1706
Standard-Verpackung:
1
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-08-25
Anzahl Stück: 200
         
 
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2025-08-25
Anzahl Stück: 200
Verlustleistung: 200W
Hersteller: Inchange Semiconductors
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 4MHz
Gehäuse: TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]: 25A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 200°C
Transistor-Typ: NPN
Montage: THT