2N6027

Symbol Micros: T2N6027
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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PUT-Transistor; 300 mW; -50 °C ~ 100 °C; Äquivalent: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
Parameter
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: UTC
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Transistor-Typ: PUT
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 100°C
Hersteller: UTC Hersteller-Teilenummer: 2N6027G-T92-B RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
399 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2420 0,1321 0,0866 0,0750 0,0690
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Standard-Verpackung:
1000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-06-30
Anzahl Stück: 1000
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: UTC
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Transistor-Typ: PUT
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 100°C
Montage: THT

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