2N6039G ONS

Symbol Micros: T2N6039g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO225 (=TO126-3)
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Darlington NPN-Transistor 80V 4A
Parameter
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO225 (=TO126-3)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ: NPN
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT
         
 
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Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO225 (=TO126-3)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ: NPN
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT

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