2N6491G
Symbol Micros:
T2N6491 ONS
Gehäuse: TO220
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Parameter
| Verlustleistung: | 75W |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Grenzfrequenz: | 5MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 130 |
| Gehäuse: | TO220 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 15A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N6491G RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
150 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9879 | 0,6539 | 0,5034 | 0,4798 | 0,4704 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N6491G
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
710 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4704 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N6491G
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1650 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4704 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N6491G
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5539 |
| Verlustleistung: | 75W |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Grenzfrequenz: | 5MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 130 |
| Gehäuse: | TO220 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 15A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
| Transistorsysteme [J/N]: | N/A |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole