2N6491G
 Symbol Micros:
 
 T2N6491 ONS 
 
  
 
 
 
 
 Gehäuse: TO220
 
 
 
 Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB 
 
 
 
 Parameter 
 
 	
		
											
 
 
 
 | Verlustleistung: | 75W | 
| Hersteller: | ONSEMI | 
| Stromverstärkungsfaktor: | 130 | 
| Gehäuse: | TO220 | 
| Grenzfrequenz: | 5MHz | 
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 15A | 
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V | 
 
 
 Hersteller: ON-Semicoductor
 
 
 Hersteller-Teilenummer: 2N6491G RoHS
 
 
 Gehäuse: TO220
 
 
 
  
 
 
 
 
 
 Auf Lager:
 
 
 150 stk.
 
 
 | Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ | 
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9876 | 0,6537 | 0,5032 | 0,4797 | 0,4703 | 
| Verlustleistung: | 75W | 
| Hersteller: | ONSEMI | 
| Stromverstärkungsfaktor: | 130 | 
| Gehäuse: | TO220 | 
| Grenzfrequenz: | 5MHz | 
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 15A | 
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V | 
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C | 
| Transistor-Typ: | PNP | 
| Transistorsysteme [J/N]: | N/A | 
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