2N6660

Symbol Micros: T2N6660
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Gehäuse: TO39
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Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 410mA; 6,25W; -55°C ~ 150°C; 2N6660-2 2N6660-E3 2N6660JTX02 2N6660JTXV02
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 410mA
Maximaler Leistungsverlust: 6,25W
Gehäuse: TO39
Hersteller: MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 410mA
Maximaler Leistungsverlust: 6,25W
Gehäuse: TO39
Hersteller: MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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