2N7000 TO92(BULK)
Symbol Micros:
T2N7000 c
Gehäuse: TO92
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 625mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | Jiangsu Changjing electronics technology |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 625mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | Jiangsu Changjing electronics technology |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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