2N7000 TO92(BULK)

Symbol Micros: T2N7000 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: Jiangsu Changjing electronics technology
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: Jiangsu Changjing electronics technology
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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