2N7000 TO92(BULK)
Symbol Micros:
T2N7000 c
Gehäuse: TO92
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 625mW |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | Jiangsu Changjing electronics technology |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 625mW |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | Jiangsu Changjing electronics technology |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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