2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE
Symbol Micros:
T2N7000 f
Gehäuse: TO92ammoformed
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5,3 Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Gehäuse: | TO92ammoformed |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: LGE
Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
1678 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1887 | 0,0756 | 0,0438 | 0,0366 | 0,0343 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-10-30
Anzahl Stück: 3000
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Gehäuse: | TO92ammoformed |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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