2N7002

Symbol Micros: T2N7002 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel (mit ESD) MOSFET 0,43 A 60 V 4000 m?
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT-23
Hersteller: MIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-09-20
Anzahl Stück: 15000
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT-23
Hersteller: MIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD