2N7002 SOT23 CJ

Symbol Micros: T2N7002 CJ

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	7Ohm
Max. Drainstrom:	115mA
Maximaler Leistungsverlust:	225mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Jiangsu Changjing electronics technology
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	7Ohm
Max. Drainstrom:	115mA
Maximaler Leistungsverlust:	225mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Jiangsu Changjing electronics technology
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD