K2N7002-7-F KUU

Symbol Micros: T2N7002 KUU
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Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002; K2N7002T-7-F;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3mOhm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: K2N7002-7-F RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
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Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 600+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1093 0,0430 0,0252 0,0198 0,0168
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600
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-12-30
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 3mOhm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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